封装 | TO-252 | 栅源极电压Vgs(Max) | - | FET通道极性 | - |
技术 | - | 漏源电压(Vdss) | 40V | 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On) | - |
漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs | - | 栅源极阈值电压(Max)@Id | - | 栅极电荷@Vgs | - |
输入电容(Max)@Vds | 900pF@20V | FET 功能 | - | 功率耗散(Max) | - |
工作温度范围 | 150℃ | 安装类型 | - | 系列 | - |
导通电阻@(Rdson)@4.5V | - | 导通电阻@(Rdson)@2.5V | - | 导通电阻@(Rdson)@1.8V | - |
导通电阻@(Rdson)@10V | - |