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原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: I2PAKFP(TO-281) 栅源极电压Vgs(Max): ±30V 连续漏极电流ID(25°C): 5.4A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 650 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 1.3Ω @ 2.7A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4.5V @ 50µA 栅极电荷@Vgs: 33 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 880 pF @ 50 V 功率耗散(Max): 30W (Tc) 工作温度范围: 150℃ 安装类型: Through Hole 系列: SuperMESH3™
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详细参数 (75%)
| 封装 | I2PAKFP(TO-281) | 栅源极电压Vgs(Max) | ±30V | 连续漏极电流ID(25°C) | 5.4A (Tc) |
| FET通道极性 | N-Channel | 技术 | MOSFET (Metal Oxide) | 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On) | 10V | 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs | 1.3Ω @ 2.7A, 10V | 栅源极阈值电压(Max)@Id | 4.5V @ 50µA |
| 栅极电荷@Vgs | 33 nC @ 10 V | 输入电容(Max)@Vds | 880 pF @ 50 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散(Max) | 30W (Tc) | 工作温度范围 | 150℃ | 安装类型 | Through Hole |
| 系列 | SuperMESH3™ | 导通电阻@(Rdson)@4.5V | - | 导通电阻@(Rdson)@2.5V | - |
| 导通电阻@(Rdson)@1.8V | - | 导通电阻@(Rdson)@10V | - |