原厂交期: -
类别: FET,MOSFET - 单
描述: 封装: TO-252-2(DPAK) 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 7.3A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压(Vdss): 650V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 600mΩ @ 4.6A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 3.9V @ 350µA 栅极电荷@Vgs: 27 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 790 pF @ 25 V FET 功能: Schottky Diode (Isolated) 功率耗散(Max): 83W (Tc) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Surface Mount 系列: CoolMOS™
封装 | TO-252-2(DPAK) | 栅源极电压Vgs(Max) | ±20V | 连续漏极电流ID(25°C) | 7.3A (Tc) |
FET通道极性 | N-Channel | 技术 | MOSFET (Metal Oxide) | 漏源电压(Vdss) | 650V |
驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On) | 10V | 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs | 600mΩ @ 4.6A, 10V | 栅源极阈值电压(Max)@Id | 3.9V @ 350µA |
栅极电荷@Vgs | 27 nC @ 10 V | 输入电容(Max)@Vds | 790 pF @ 25 V | FET 功能 | Schottky Diode (Isolated) |
功率耗散(Max) | 83W (Tc) | 工作温度范围 | -55℃~150℃ | 安装类型 | Surface Mount |
系列 | CoolMOS™ | 导通电阻@(Rdson)@4.5V | - | 导通电阻@(Rdson)@2.5V | - |
导通电阻@(Rdson)@1.8V | - | 导通电阻@(Rdson)@10V | - |