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原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: SOIC-8_150mil FET通道极性: 2 N-Channel (Dual) 漏源电压（Vdss）: 30V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 24mΩ @ 6.9A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 3V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 9.5nC @ 10V 输入电容(Max)@Vds: 520pF @ 15V FET 功能: Logic Level Gate 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Surface Mount
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详细参数 (53%)
| 封装 | SOIC-8_150mil | 栅源极电压Vgs(Max) | - | FET通道极性 | 2 N-Channel (Dual) |
| 技术 | - | 漏源电压（Vdss） | 30V | 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On) | - |
| 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs | 24mΩ @ 6.9A, 10V | 栅源极阈值电压(Max)@Id | 3V @ 250µA | 栅极电荷@Vgs | 9.5nC @ 10V |
| 输入电容(Max)@Vds | 520pF @ 15V | FET 功能 | Logic Level Gate | 功率耗散(Max) | - |
| 工作温度范围 | -55℃~150℃ | 安装类型 | Surface Mount | 系列 | - |
| 导通电阻@(Rdson)@4.5V | - | 导通电阻@(Rdson)@2.5V | - | 导通电阻@(Rdson)@1.8V | - |
| 导通电阻@(Rdson)@10V | - |