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原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: DPAK(TO-252) 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 6.7A (Ta), 14A (Tc) FET通道极性: P-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 40 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 44mΩ @ 6.7A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 3V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 29 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 1550 pF @ 20 V FET 功能: Standard 功率耗散(Max): 42W (Tc) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Surface Mount 系列: PowerTrench®
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详细参数 (80%)
| 封装 | DPAK(TO-252) | 栅源极电压Vgs(Max) | ±20V | 连续漏极电流ID(25°C) | 6.7A (Ta), 14A (Tc) |
| FET通道极性 | P-Channel | 技术 | MOSFET (Metal Oxide) | 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs | 44mΩ @ 6.7A, 10V | 栅源极阈值电压(Max)@Id | 3V @ 250µA |
| 栅极电荷@Vgs | 29 nC @ 10 V | 输入电容(Max)@Vds | 1550 pF @ 20 V | FET 功能 | Standard |
| 功率耗散(Max) | 42W (Tc) | 工作温度范围 | -55℃~150℃ | 安装类型 | Surface Mount |
| 系列 | PowerTrench® | 导通电阻@(Rdson)@4.5V | - | 导通电阻@(Rdson)@2.5V | - |
| 导通电阻@(Rdson)@1.8V | - | 导通电阻@(Rdson)@10V | - |