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原厂交期： -
描述： 封装: SOT-323-3 集电极电流Ic(Max): 100mA 晶体管类型: NPN 集射极击穿电压(Max): 50V 基级电阻(R1): 10 kOhms 直流电流增益(Min): 100 饱和电压(Vce)(Max)@Ib,Ic: 300mV 集电极截止电流(Max): 500nA (ICBO) 截止频率: 250MHz 功率(Max): 200mW
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详细参数 (83%)
| 封装 | SOT-323-3 | 集电极电流Ic(Max) | 100mA | 晶体管类型 | NPN |
| 集射极击穿电压(Max) | 50V | 基级电阻(R1) | 10 kOhms | 发射-基极电阻(R2) | - |
| 直流电流增益(Min) | 100 | 饱和电压(Vce)(Max)@Ib,Ic | 300mV | 集电极截止电流(Max) | 500nA (ICBO) |
| 截止频率 | 250MHz | 功率(Max) | 200mW | 系列 | - |