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原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: SOT-23 漏源电压（Vdss）: 20V 栅极电荷@Vgs: 4.4nC@4.5V 输入电容(Max)@Vds: 320pF@10V 工作温度范围: 150℃
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详细参数 (25%)
| 封装 | SOT-23 | 栅源极电压Vgs(Max) | - | FET通道极性 | - |
| 技术 | - | 漏源电压（Vdss） | 20V | 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On) | - |
| 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs | - | 栅源极阈值电压(Max)@Id | - | 栅极电荷@Vgs | 4.4nC@4.5V |
| 输入电容(Max)@Vds | 320pF@10V | FET 功能 | - | 功率耗散(Max) | - |
| 工作温度范围 | 150℃ | 安装类型 | - | 系列 | - |
| 导通电阻@(Rdson)@4.5V | - | 导通电阻@(Rdson)@2.5V | - | 导通电阻@(Rdson)@1.8V | - |
| 导通电阻@(Rdson)@10V | - |