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原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: SOT23-3 栅源极电压Vgs(Max): ±12V 连续漏极电流ID(25°C): -4 FET通道极性: P-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 30 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 50mΩ @ 4A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 1.3V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 14 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 645 pF @ 15 V FET 功能: P 通道 功率耗散(Max): 1.4W (Ta) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Surface Mount
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详细参数 (90%)
| 封装 | SOT-23-3L | 栅源极电压Vgs(Max) | ±12V | 连续漏极电流ID(25°C) | -4 |
| FET通道极性 | P-Channel | 技术 | MOSFET (Metal Oxide) | 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V | 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs | 50mΩ @ 4A, 10V | 栅源极阈值电压(Max)@Id | 1.3V @ 250µA |
| 栅极电荷@Vgs | 14 nC @ 10 V | 输入电容(Max)@Vds | 645 pF @ 15 V | FET 功能 | P 通道 |
| 功率耗散(Max) | 1.4W (Ta) | 工作温度范围 | -55℃~150℃ | 安装类型 | Surface Mount |
| 系列 | - | 导通电阻@(Rdson)@4.5V | 60 | 导通电阻@(Rdson)@2.5V | 85 |
| 导通电阻@(Rdson)@1.8V | - | 导通电阻@(Rdson)@10V | 50 |